微流控芯片測溫測試流程

　　隨著電子芯片的不斷發展，其測試的結果以及準確性也不斷提高，所以，對于微流控芯片測溫流程還是需要了解清楚才能更好的運行微流控芯片測溫設備。

　　因為微流控芯片測溫準確性要求的提高，以及減少測試時間降低測試成本的壓力，傳統的采用測試模式調節芯片參數的缺點變得明顯，當芯片在各站點進行測試時，每個站點均需開啟測試模式，進行參數校準，造成測試時間的浪費；其次，通過測試模式進行參數調節受芯片掉電的影響，需要嚴格控制芯片上電及掉電的順序；各站點的測試溫度不同，受測試溫度的影響，達到同一參數目標值的調節代碼存在不同的可能性，當采用其中一站的調節代碼進行鐳射對產品的失效率有一定的影響，這種影響受芯片制造工藝的制約，存在不可控性。

　　微流控芯片測溫時，芯片起測時，芯片內部的各項參數均是默認值。受微電子制造工藝的影響，即使在相同的默認值下，芯片的各項參數也處在不同的水平線上。而微小的參數差異將導致芯片間性能的差異，必須對所有的參數按照設計規則進行優化校準，才能保證芯片的良好性能。因此，芯片起測后，先要對芯片各項參數的目標代碼進行尋找。

　　芯片的各站點測試的溫度不同，受溫度的影響，各參數的目標代碼存在不同的可能性。當采用電編程熔絲在測試站點固化參數值后，各站點均在該相同的固化代碼下進行測量，即使存在參數值的偏差，也能確保測試的準確性，提升了產品性能。 芯片參數僅需要一次性固化，有效的避免了傳統方法下多次寫入造成的測試時間浪費的，并且在測試的過程當中固化芯片參數，可以省略后續鐳射機臺的使用，縮短了測試周期。

微流控芯片測溫測試結果有利于各個芯片的結果準確性，調整芯片的各項參數，及時有效的降低企業運行成本。

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