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thermal 熱流儀在芯片可靠性測試中有著一定的應用，能在多種測試場景發揮作用，同時具備多項優勢，以下是具體介紹：
一、芯片可靠性測試的核心挑戰
隨著芯片制程進入3nm以下及封裝（如3D IC、Chiplet）技術的普及，芯片可靠性測試面臨更高要求：
嚴苛溫度耐受性：芯片需在-55℃~150℃范圍內穩定工作，且需承受快速溫變帶來的熱應力。
局部熱點風險：高密度封裝下，功率芯片（如CPU、GPU）的局部溫度易引發電遷移或熱失效。
測試效率與成本：傳統溫箱測試周期長，難以滿足快速迭代需求。
二、Thermal熱流儀在芯片測試中的核心應用
1. 溫度循環測試（Temperature Cycling）
測試目標：驗證芯片在嚴苛溫度交替下的機械穩定性（如焊點疲勞、分層缺陷）。
技術方案：熱流儀以50℃/min速率循環切換-55℃~125℃，模擬芯片在汽車電子或工業環境下的壽命。
2. 高溫老化測試（Burn-in）
測試目標：篩選早期失效芯片，提升量產良率。
技術方案：熱流儀在125℃下對芯片施加額定電壓，，加速電遷移與氧化失效。
3. 熱阻測試（Thermal Resistance, Rth）
測試目標：量化芯片結溫（Tj）與環境溫度（Ta）的熱傳導效率。
技術方案：熱流儀結合紅外熱像儀與熱電偶，實時監測結溫并計算。
4. 熱沖擊測試（Thermal Shock）
測試目標：驗證芯片在溫變下的抗裂性（如陶瓷封裝、硅通孔TSV結構）。
技術方案：熱流儀加熱實現-75℃→150℃切換，模擬芯片在航天器進出大氣層的嚴苛環境。
三、Thermal熱流儀的五大技術優勢
1. 有效性：縮短測試周期
快速溫變：50℃/min速率使溫度循環測試時間壓縮。
多通道并行：支持8~16個芯片同步測試（如Fan-Out封裝），效率提升。
2. 準確性：數據可靠性保障
控溫精度：±0.1℃精度（PID+模糊算法）避免溫度波動導致的誤判。
微區監測：紅外熱像儀準確定位熱點，誤差≤1℃。
3. 多功能性：復雜場景覆蓋
復合環境模擬：集成振動臺、濕度控制，滿足標準中的多應力耦合測試。
定制化編程：支持階梯升溫、駐留時間動態調整等復雜測試腳本。
Thermal熱流儀通過有效溫控、準確數據，成為芯片可靠性測試的核心工具，其優勢不僅體現在縮短研發周期與提升良率上，更在于推動芯片技術向更高密度、更復雜場景的突破。
